型号:IXTY1R4N120P | 类别:FET - 单 | 制造商:IXYS |
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 描述:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252 |
系列 | - |
制造商 | IXYS |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V(1.2kV) |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 1.4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | - |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4.5V @ 100µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | - |
输入电容(Ciss)0a0Vds | - |
功率_最大 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252,(D-Pak) |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市杭湘棋科技有限公司 | 朱小姐0755-83361530 |
深圳市创芯联盈电子有限公司 | 陈泽强0755-88291559 |
深圳市科雨电子有限公司 | 卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷171-4729-0036(微信同号) |
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